Bom vou começar então a ver outro tipo de semicondutor que é o tira estoure o gestor usado em tarefas
de comutação rápida em circuitos de média potência.
Vamos estudar a estrutura e a lógica de funcionamento nos tira estores os estores consistem na combinação
de quatro semicondutores do tipo N e P.
Como exemplo temos os retificador controlados por silício.
Conhecido por suas iniciais em inglês S C R Silicon controla a rede Wi-Fi.
Aqui vemos a forma real de um tira estou à esquerda que é igual à do transistor e o seu símbolo à direita.
O utilizador tem três terminais chamados de ânodo cátodo e Gate ou em português porta.
A ordem destes terminais nem sempre esta pode variar.
O símbolo do utilizador e seus terminais é este.
A imagem mais à direita representa a estrutura dos semicondutores tipo N IP do utilizador.
é uma estrutura PN pn onde o ano todo e p o cátodo é N e a porta fica no positivo p mais próxima ao
cátodo.
A lógica de funcionamento do utilizador é semelhante à do transistor com algumas diferenças quando uma
pequena corrente de disparo chega na porta ou gate.
A corrente flui irá do angulo para o cátodo ou seja uma pequena corrente de disparo no Gate Porta controlar
uma corrente maior entre ânodo e cátodo.
é possível encontrar diferentes tipos de Tir estores.
Por exemplo o BT 1 6 9 pode controlar uma corrente de até 500 mil amperes.
O BT 1 5 2 controla até 13 amperes o 25 e a 120 pode controlar até 25 amperes.
Esta figura ajuda a entender a lógica de funcionamento do diretor fazendo essa conexão de uma lâmpada
de tensão contínua com um terminal ligado ao positivo da bateria e o outro ligado ao nodo do diretor
Nestor e o negativo da bateria ao cátodo do diretor em condição normal a lâmpada não acende porque o
gestor se comporta como um interruptor aberto para o disparo do utilizador.
é necessário uma pequena corrente no terminal gate ou porta.
Para isso lidamos com uma chave de toque entre o GATE o porta e o positivo da bateria mas com um resistor
em série como mostra a figura ao tocarmos na chave que lembro é uma chave de toque não fica fechada
permanentemente só na hora em que é tocada uma corrente de disparo chega no gate e a lâmpada acende
e mesmo tirando o contato da chave a lâmpada continuará acesa para pagar a lâmpada ou desligar o gestor.
Basta provocar um breve curto entre os terminais do gestor por exemplo.
Dessa forma a corrente pára de fluir entre seus terminais.
Na prática o que ocorre não é exatamente esse curto para desligar e sim um outro processo que veremos
para frente.
Bom agora vamos ver uma animação que ajuda a entender um pouquinho melhor como funciona o gestor.
Já vimos anteriormente o funcionamento de diodos e transistores da mesma forma o gestor também funciona
como uma chave.
Todos esses dispositivos semicondutores na maioria dos casos são feitos do mesmo material que é o silício
um que mistura composto de quatro camadas de material n e B intercalados.
Vamos recordar como funciona um transistor de junção bipolar ao conectar mos uma fonte de tensão uma
das funções do transistor é polarizada reversa mente.
Para ligar o transistor é preciso acrescentar uma segunda fonte de tensão entre emissor e base.
Isso ligará o transistor.
No entanto ao removemos a fonte secundária o transistor se desliga por necessitar de uma fonte de base
contínua.
O transistor causa uma perda de energia especialmente em aplicações de alta potência.
Para superar este problema em 1950 foi desenvolvido um interruptor com características diferentes chamado
Tiny Storm.
Ao contrário do transistor o gestor não necessita de fonte secundária contínua após o acionamento do
disparo.
Mesmo removendo a alimentação secundária o diretor continua funcionando.
Para entender melhor vejamos o que é uma região de empobrecimento esgotamento recordando o funcionamento
básico de um diodo uma estrutura de silício puro é mostrada aqui.
O silício puro tem condutividade praticamente nula como já vimos para aumentar sua condutividade é feita
uma dopagem com impurezas no silício.
Se parte dele for dopado com tipo B e outra parte com o tipo N teremos uma junção PN ou um diodo na
junção dos materiais PN.
Ocorre um fenômeno que já vimos anteriormente a migração natural de elétrons que faz com que o lado
B seja ligeiramente carregado negativamente e o lado N ligeiramente carregado positivamente é formada
a zona de deflexão onde não há elétrons livres nem lacunas.
Forma se então a conhecida barreira de potencial que impede a migração de elétrons de um lado para outro.
Se conectar mos uma fonte de tensão ao diodo sendo esta tensão maior que a barreira de potencial que
é geralmente 0,7 Volts os elétrons são empurrados e podem cruzar a junção PN atravessando eles ocuparam
as lacunas na região p e o fluxo de corrente é iniciado.
Isto ocorre quando o diodo é polarizado diretamente ou seja o positivo da fonte na região p é o negativo
na região n.
Invertendo a posição da bateria a corrente pára de fluir
na região B os portadores de carga são as lacunas.
No entanto existem também alguns elétricos na região p o que chamamos de cargas minoritárias.
Da mesma forma na região ñ os portadores são os elétrons mas existem também lacunas como cargas minoritárias
isto é um diodo Vejamos agora o funcionamento do distorcido optarmos uma barra de silício com quatro
regiões intercaladas de material P e N damos início ao dia.
Aqui também são formadas as chamadas zonas de empobrecimento ou esgotamento se conectar mos uma bateria
desta forma mostrada teremos três zonas de deflexão ou empobrecimento se inverter se a bateria teríamos
apenas uma região de empobrecimento.
Vamos então fazer o utilizador funcionar nesta configuração.
Para isso precisamos quebrar esta zona de empobrecimento ou esgotamento.
O que se faz então é a adição de um gatilho que chamamos de Gate ou porta.
O disparo do Gate é uma injeção de elétrons.
Adicionamos então uma fonte secundária entre o Gate e o cátodo fazendo uma injeção de elétrons na região
p.
à medida que este processo continua a região p torna se sobrecarregada com elétrons.
A região se torna então eventualmente uma região n.
Essa nova região ele causa uma redução da zona de deflexão automaticamente.
Desta forma as três regiões do lado de baixo tornam se uma grande região n.
Agora o turista fica como um diodo com apenas uma junção PN como vimos antes aplicando uma tensão com
polarização direta ao diodo ele conduz agora mesmo removendo a tensão secundária ele continua conduzindo
assim a tensão secundária.
O gatilho é necessária apenas para o acionamento.
Agora vamos ver como desligar o utilizador sem desligar a fonte principal.
Isso pode ser feito por exemplo aplicando nele uma tensão reversa uma forma sugestiva para isso é por
meio de um oscilador LC num oscilador LC.
Ocorre uma troca de energia entre um capacitor e um indutor.
Como podemos ver ocorre uma flutuação do fluxo de elétrons no circuito.
Isso significa que a tensão também oscilará.
Supondo que a tensão de pico do oscilador seja maior que a tensão aplicada ao isto se inserimos o time
se torna um circuito LC ele será submetido a uma tensão flutuante em vez de constante no modo de tensão
com polarização reversa.
Assim ele se desligar.